APTM100DU18TG
Modello di prodotti:
APTM100DU18TG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13041 Pieces
Scheda dati:
APTM100DU18TG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:210 mOhm @ 21.5A, 10V
Potenza - Max:780W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APTM100DU18TG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:372nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP4
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:43A
Email:[email protected]

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