APTM100TA35SCTPG
Modello di prodotti:
APTM100TA35SCTPG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18892 Pieces
Scheda dati:
APTM100TA35SCTPG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP6-P
Serie:POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs:420 mOhm @ 11A, 10V
Potenza - Max:390W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Module
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTM100TA35SCTPG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:186nC @ 10V
Tipo FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A
Email:[email protected]

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