AOT502
Modello di prodotti:
AOT502
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 33V 9A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12010 Pieces
Scheda dati:
1.AOT502.pdf2.AOT502.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.7V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:11.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.9W (Ta), 79W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AOT502
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1450pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 33V 9A (Ta), 60A (Tc) 1.9W (Ta), 79W (Tc) Through Hole TO-220
Tensione drain-source (Vdss):33V
Descrizione:MOSFET N-CH 33V 9A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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