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SSM3K7002BSU,LF
- Modello di prodotti:
- SSM3K7002BSU,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V .2A USM
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13567 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SSM3K7002BSU,LF.pdf2.SSM3K7002BSU,LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | USM |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150mW (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi: | SSM3K7002BFU(T5LFDKR SSM3K7002BFU(T5LFDKR-ND SSM3K7002BSULFDKR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SSM3K7002BSU,LF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 17pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V .2A USM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SSM3K7002BSU,LF
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K7002KF,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.4A | Inchiesta |
|
SSM3K7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | LOAD SWITCH CURRENT REDUCTION | Inchiesta |
 |
SSM3K7002CFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD | Inchiesta |
 |
SSM3K7002BS,LF(D | MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI | Inchiesta | |
|
SSM3K7002BS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 200MA SMD | Inchiesta |
|
SSM3K7002BF,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI | Inchiesta |
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