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SI1070X-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI1070X-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18078 Pieces
- Scheda dati:
- SI1070X-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.55V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-89-6 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 236mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | SI1070X-T1-GE3TR SI1070XT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SI1070X-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 385pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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