AOI206_002
Modello di prodotti:
AOI206_002
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 18A TO251A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16405 Pieces
Scheda dati:
AOI206_002.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-251A
Serie:AlphaMOS
Rds On (max) a Id, Vgs:5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AOI206_002
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1333pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 18A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-251A
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 18A TO251A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Ta), 46A (Tc)
Email:[email protected]

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