STU9N60M2
STU9N60M2
Modello di prodotti:
STU9N60M2
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12132 Pieces
Scheda dati:
STU9N60M2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:IPAK (TO-251)
Serie:MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs:780 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:497-13886-5
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:STU9N60M2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:320pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

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