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VEC2616-TL-H
- Modello di prodotti:
- VEC2616-TL-H
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17239 Pieces
- Scheda dati:
- VEC2616-TL-H.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.6V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-VEC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 80 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | VEC2616-TL-HOSDKR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | VEC2616-TL-H |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 505pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount 8-VEC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VEC2616-TL-H
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT3020LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 | Inchiesta |
 |
VEC2616-TL-W-Z | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | Inchiesta |
 |
CSD75204W15 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA | Inchiesta |
 |
BUK9K17-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK | Inchiesta |
|
DMMT3906WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2PCH 40V 200MA SOT363 | Inchiesta |
 |
STL65DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT | Inchiesta |
 |
SI4963BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC | Inchiesta |
|
SI4830CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
SI7958DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | Inchiesta |
|
VEC2616-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | Inchiesta |
 |
IRF8513PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
SP8M7TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC | Inchiesta |
|
CSD87350Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON | Inchiesta |
 |
SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6 | Inchiesta |
 |
NX3008CBKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP | Inchiesta |
 |
ZXMN6A09DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC | Inchiesta |
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