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ZXMN6A09DN8TA
- Modello di prodotti:
- ZXMN6A09DN8TA
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17324 Pieces
- Scheda dati:
- ZXMN6A09DN8TA.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per ZXMN6A09DN8TA, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per ZXMN6A09DN8TA via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 40 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.25W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | ZXMN6A09DN8TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | ZXMN6A09DN8TA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1407pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 24.2nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.3A |
| Email: | [email protected] |
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