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TPC6006-H(TE85L,F)
- Modello di prodotti:
- TPC6006-H(TE85L,F)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15777 Pieces
- Scheda dati:
- 1.TPC6006-H(TE85L,F).pdf2.TPC6006-H(TE85L,F).pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VS-6 (2.9x2.8) |
| Serie: | U-MOSIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 75 mOhm @ 1.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | TPC6006-H(TE85L,F) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 251pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 3.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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