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RQJ0303PGDQA#H6
- Modello di prodotti:
- RQJ0303PGDQA#H6
- fabbricante:
- Renesas Electronics America
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13746 Pieces
- Scheda dati:
- RQJ0303PGDQA#H6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 3-MPAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 68 mOhm @ 1.6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RQJ0303PGDQA#H6 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 625pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 3.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 3-MPAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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