TK12J60U(F)
TK12J60U(F)
Modello di prodotti:
TK12J60U(F)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12244 Pieces
Scheda dati:
1.TK12J60U(F).pdf2.TK12J60U(F).pdf3.TK12J60U(F).pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P(N)
Serie:DTMOSII
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):144W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi:TK12J60U(F)-ND
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:TK12J60U(F)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 12A (Ta) 144W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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