Acquistare IPL65R130C7AUMA1 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 440µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-VSON-4 |
| Serie: | CoolMOS™ C7 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 130 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 102W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-PowerTSFN |
| Altri nomi: | IPL65R130C7AUMA1TR SP001032724 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPL65R130C7AUMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1670pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 15A (Tc) 102W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |