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SUP50N03-5M1P-GE3
- Modello di prodotti:
- SUP50N03-5M1P-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18263 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SUP50N03-5M1P-GE3.pdf2.SUP50N03-5M1P-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.1 mOhm @ 22A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | SUP50N03-5M1P-GE3CT SUP50N03-5M1P-GE3CT-ND SUP50N035M1PGE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SUP50N03-5M1P-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2780pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 50A (Tc) 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SUP50N03-5M1P-GE3
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