BSC014N03MS G
BSC014N03MS G
Modello di prodotti:
BSC014N03MS G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14344 Pieces
Scheda dati:
BSC014N03MS G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 139W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSC014N03MS G-ND
BSC014N03MSG
BSC014N03MSGATMA1
SP000394681
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:BSC014N03MS G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:173nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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