Acquistare SUD50P10-43L-GE3 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 43 mOhm @ 9.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 8.3W (Ta), 136W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SUD50P10-43L-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4600pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 100V 37.1A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 37.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |