Acquistare SUD50P08-26-E3 con BYCHPS
Acquista con garanzia
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252, (D-Pak) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 26 mOhm @ 12.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 8.3W (Ta), 136W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SUD50P08-26-E3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5160pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 80V 50A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 80V 50A TO252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |