Acquistare STL8P2UH7 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerFlat™ (2x2) |
| Serie: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 22.5 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.4W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-PowerWDFN |
| Altri nomi: | 497-14997-2 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | STL8P2UH7 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2390pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 8A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |