PHD38N02LT,118
PHD38N02LT,118
Modello di prodotti:
PHD38N02LT,118
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19611 Pieces
Scheda dati:
PHD38N02LT,118.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:16 mOhm @ 25A, 5V
Dissipazione di potenza (max):57.6W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:934057587118
PHD38N02LT /T3
PHD38N02LT /T3-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:PHD38N02LT,118
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15.1nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:44.7A (Tc)
Email:[email protected]

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