STH170N8F7-2
STH170N8F7-2
Modello di prodotti:
STH170N8F7-2
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12963 Pieces
Scheda dati:
STH170N8F7-2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:H2Pak-2
Serie:STripFET™ F7
Rds On (max) a Id, Vgs:3.7 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:497-16002-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:STH170N8F7-2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8710pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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