Acquistare PSMN6R4-30MLDX con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | LFPAK33 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 51W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) |
| Altri nomi: | 1727-2219-2 568-12473-2 568-12473-2-ND 934068065115 PSMN6R4-30MLD,115 PSMN6R4-30MLDX-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | PSMN6R4-30MLDX |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 832pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 13.7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 66A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount LFPAK33 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V MLFP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |