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STD110N02RT4G-VF01
- Modello di prodotti:
- STD110N02RT4G-VF01
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14924 Pieces
- Scheda dati:
- STD110N02RT4G-VF01.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | STD110N02RT4G STD110N02RT4G-ND STD110N02RT4G-VF |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | STD110N02RT4G-VF01 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3440pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 24V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 24V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 24V 32A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 32A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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