SQR40N10-25_GE3
SQR40N10-25_GE3
Modello di prodotti:
SQR40N10-25_GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14224 Pieces
Scheda dati:
SQR40N10-25_GE3.pdf

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per SQR40N10-25_GE3, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SQR40N10-25_GE3 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare SQR40N10-25_GE3 con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (D2Pak)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):136W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25-GE3-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:SQR40N10-25_GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3380pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti