SQJQ480E-T1_GE3
Modello di prodotti:
SQJQ480E-T1_GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13422 Pieces
Scheda dati:
SQJQ480E-T1_GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 8 x 8
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:3 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):136W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:SQJQ480E-T1_GE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:SQJQ480E-T1_GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8625pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:144nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 150A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

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