IPB016N06L3 G
IPB016N06L3 G
Modello di prodotti:
IPB016N06L3 G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12494 Pieces
Scheda dati:
IPB016N06L3 G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 196µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-7
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.6 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Altri nomi:IPB016N06L3 G-ND
IPB016N06L3G
IPB016N06L3GATMA1
SP000453040
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB016N06L3 G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:28000pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:166nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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