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SQJ200EP-T1_GE3
- Modello di prodotti:
- SQJ200EP-T1_GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17297 Pieces
- Scheda dati:
- SQJ200EP-T1_GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.8 mOhm @ 16A, 10V |
| Potenza - Max: | 27W, 48W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Altri nomi: | SQJ200EP-T1_GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SQJ200EP-T1_GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 975pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A, 60A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SQJ200EP-T1_GE3
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