SQ3426EEV-T1-GE3
SQ3426EEV-T1-GE3
Modello di prodotti:
SQ3426EEV-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16953 Pieces
Scheda dati:
SQ3426EEV-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-TSOP
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:42 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):5W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi:SQ3426EEV-T1-GE3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SQ3426EEV-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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