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2N6798
- Modello di prodotti:
- 2N6798
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 12288 Pieces
- Scheda dati:
- 2N6798.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-39 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-205AF Metal Can |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 2N6798 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.29nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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