STE110NS20FD
STE110NS20FD
Modello di prodotti:
STE110NS20FD
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18095 Pieces
Scheda dati:
STE110NS20FD.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOTOP®
Serie:MESH OVERLAY™
Rds On (max) a Id, Vgs:24 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):500W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:ISOTOP
Altri nomi:497-2657-5
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STE110NS20FD
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:504nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 110A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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