Acquistare SPU18P06P con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO251-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | SP000012303 SPU18P06P-ND SPU18P06PIN SPU18P06PX SPU18P06PXK |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPU18P06P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 18.6A (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |