BSP135L6327HTSA1
BSP135L6327HTSA1
Modello di prodotti:
BSP135L6327HTSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19908 Pieces
Scheda dati:
BSP135L6327HTSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 94µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-SOT223-4
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:45 Ohm @ 120mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:BSP135 L6327
BSP135 L6327-ND
BSP135L6327XT
SP000089206
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BSP135L6327HTSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:146pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.9nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Depletion Mode
Descrizione espansione:N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120mA (Ta)
Email:[email protected]

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