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IPB65R190CFD
- Modello di prodotti:
- IPB65R190CFD
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15069 Pieces
- Scheda dati:
- IPB65R190CFD.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPB65R190CFD, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB65R190CFD via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 730µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 151W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB65R190CFDDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPB65R190CFD |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 17.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPB65R190CFD
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263 | Inchiesta |
|
IPB65R190CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB65R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 | Inchiesta |
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IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Inchiesta |
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IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 | Inchiesta |
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IPB65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263 | Inchiesta |
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IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Inchiesta |
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IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Inchiesta |
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IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263 | Inchiesta |
|
IPB65R280E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | Inchiesta |
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