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SPU01N60C3
- Modello di prodotti:
- SPU01N60C3
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12357 Pieces
- Scheda dati:
- SPU01N60C3.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPU01N60C3, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPU01N60C3 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO251-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 11W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | SP000012110 SPU01N60C3-ND SPU01N60C3BKMA1 SPU01N60C3IN SPU01N60C3X SPU01N60C3XK |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SPU01N60C3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 100pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 800mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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