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IRF6711STRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF6711STRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19895 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6711STRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6711STRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6711STRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ SQ |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 19A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Altri nomi: | SP001529154 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF6711STRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1810pF @ 13V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Ta), 84A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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