Acquistare IRF6718L2TRPBF con BYCHPS
Acquista con garanzia
IRF6718L2TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF6718L2TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15588 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6718L2TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6718L2TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6718L2TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.35V @ 150µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET L6 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 0.7 mOhm @ 61A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 4.3W (Ta), 83W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric L6 |
| Altri nomi: | IRF6718L2TRPBF-ND IRF6718L2TRPBFTR SP001523928 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF6718L2TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6500pF @ 13V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 96nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 61A (Ta), 270A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRF6718L2TRPBF
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog