SPI07N65C3HKSA1
SPI07N65C3HKSA1
Modello di prodotti:
SPI07N65C3HKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17849 Pieces
Scheda dati:
SPI07N65C3HKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 350µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3-1
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 4.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:SP000014632
SP000680982
SPI07N65C3
SPI07N65C3-ND
SPI07N65C3IN
SPI07N65C3IN-ND
SPI07N65C3X
SPI07N65C3XK
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SPI07N65C3HKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

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