FDAF59N30
FDAF59N30
Modello di prodotti:
FDAF59N30
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17121 Pieces
Scheda dati:
FDAF59N30.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PF
Serie:UniFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:56 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max):161W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SC-94
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDAF59N30
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4670pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 300V 34A (Tc) 161W (Tc) Through Hole TO-3PF
Tensione drain-source (Vdss):300V
Descrizione:MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

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