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IPB80N06S2L09ATMA2
- Modello di prodotti:
- IPB80N06S2L09ATMA2
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12440 Pieces
- Scheda dati:
- IPB80N06S2L09ATMA2.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPB80N06S2L09ATMA2, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB80N06S2L09ATMA2 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 125µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.2 mOhm @ 52A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 190W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP001061720 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPB80N06S2L09ATMA2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2620pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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