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SPD11N10
- Modello di prodotti:
- SPD11N10
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16783 Pieces
- Scheda dati:
- SPD11N10.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPD11N10, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPD11N10 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 21µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | P-TO252-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 170 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | SP000013847 SPD11N10INTR SPD11N10XT SPD11N10XT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPD11N10 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount P-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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