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NTD23N03R-1G
- Modello di prodotti:
- NTD23N03R-1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14829 Pieces
- Scheda dati:
- NTD23N03R-1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 45 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | NTD23N03R-1GOS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTD23N03R-1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 225pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.76nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTD23N03R-1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD23N03RT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | Inchiesta |
|
NTD23N03RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | Inchiesta |
|
NTD23N03RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | Inchiesta |
|
NTD23N03R | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | Inchiesta |
 |
NTD23N03R-001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK | Inchiesta |
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