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SPD07N20GBTMA1
- Modello di prodotti:
- SPD07N20GBTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 7A TO252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16421 Pieces
- Scheda dati:
- SPD07N20GBTMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPD07N20GBTMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPD07N20GBTMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 40W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | SP000449008 SPD07N20 G SPD07N20 G-ND SPD07N20 GTR-ND SPD07N20G |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPD07N20GBTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 31.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 7A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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