FDP023N08B_F102
Modello di prodotti:
FDP023N08B_F102
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19805 Pieces
Scheda dati:
FDP023N08B_F102.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.35 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):245W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FDP023N08B_F102
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13765pF @ 37.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:195nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):75V
Descrizione:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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