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SPB80N10L
- Modello di prodotti:
- SPB80N10L
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 13741 Pieces
- Scheda dati:
- SPB80N10L.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPB80N10L, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPB80N10L via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 2mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 14 mOhm @ 58A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP000014350 SPB80N10LT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPB80N10L |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4540pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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