SPB80N03S2L-04 G
SPB80N03S2L-04 G
Modello di prodotti:
SPB80N03S2L-04 G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19598 Pieces
Scheda dati:
SPB80N03S2L-04 G.pdf

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per SPB80N03S2L-04 G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPB80N03S2L-04 G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare SPB80N03S2L-04 G con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 130µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.9 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):188W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SP000200143
SPB80N03S2L04GXT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SPB80N03S2L-04 G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 80A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti