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SPB08P06PGATMA1
- Modello di prodotti:
- SPB08P06PGATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12528 Pieces
- Scheda dati:
- SPB08P06PGATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-2 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 300 mOhm @ 6.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 42W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP000102179 SPB08P06P G SPB08P06P G-ND SPB08P06PGINTR SPB08P06PGINTR-ND SPB08P06PGXT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SPB08P06PGATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 420pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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