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NTQS6463R2
- Modello di prodotti:
- NTQS6463R2
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14584 Pieces
- Scheda dati:
- NTQS6463R2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 900mV @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-TSSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 930mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi: | NTQS6463R2OS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTQS6463R2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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