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SIR838DP-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SIR838DP-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15117 Pieces
- Scheda dati:
- SIR838DP-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 33 mOhm @ 8.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi: | SIR838DP-T1-GE3TR SIR838DPT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SIR838DP-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2075pF @ 75V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 150V 35A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 150V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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