Acquistare CSD13303W1015 con BYCHPS
Acquista con garanzia
CSD13303W1015
- Modello di prodotti:
- CSD13303W1015
- fabbricante:
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18893 Pieces
- Scheda dati:
- CSD13303W1015.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per CSD13303W1015, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per CSD13303W1015 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-DSBGA |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.65W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UFBGA, DSBGA |
| Altri nomi: | 296-39990-2 CSD13303W1015-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | CSD13303W1015 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 715pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 12V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 31A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CSD13303W1015
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA | Inchiesta |
|
CSD13381F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | Inchiesta |
|
CSD13306W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.5A | Inchiesta |
|
CSD13385F5T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE | Inchiesta |
|
CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | Inchiesta |
|
CSD13383F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | Inchiesta |
|
CSD13380F3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR | Inchiesta |
|
CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | Inchiesta |
|
CSD13380F3T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | Inchiesta |
|
CSD13302WT | Texas Instruments | CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | Inchiesta |
|
CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | Inchiesta |
|
CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | Inchiesta |
|
CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog