SIR632DP-T1-RE3
SIR632DP-T1-RE3
Modello di prodotti:
SIR632DP-T1-RE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 29A SO8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14341 Pieces
Scheda dati:
SIR632DP-T1-RE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:ThunderFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:34.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):69.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
Altri nomi:SIR632DP-T1-RE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:19 Weeks
codice articolo del costruttore:SIR632DP-T1-RE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:740pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 7.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 150V 29A (Tc) 69.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione:MOSFET N-CH 150V 29A SO8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

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