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2SK536-TB-E
- Modello di prodotti:
- 2SK536-TB-E
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 50V 0.1A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18962 Pieces
- Scheda dati:
- 2SK536-TB-E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-59 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 Ohm @ 10mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio: | 125°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 2 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 2SK536-TB-E |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 15pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 50V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 50V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 50V 0.1A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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